碳化硅材料具有極高的硬度，接近鉆石的硬度以及有優異的耐化學性，耐腐蝕性能和抗氧化性和低熱膨脹系數，常被用作如：加熱元件、耐火承燒板等。除此之外還被廣泛用于渦輪機組件定子和轉子、軸承、半導體晶圓加工設備、剎車制動盤等。

碳化硅有很多種類，有200多種晶粒形態。不同晶粒形狀的碳化碳，以及不同的燒結工藝，會生成不同特性的碳化硅成品。例如：RBSiC（Reaction-Bonded silicon carbide反應燒結）, R-SiC（Recrystallization-SiC再結晶碳化硅）, N-SiC（Nitride bonded SiC 氮化硅結合碳化硅）。

1.RBSiC (Reaction-Bonded silicon carbide) 反應燒結是工藝的最后一步。碳/碳材料轉移到硅化爐中，樣品放進坩堝內后放于爐子底座上。坩堝內倒入硅化定量的硅粉，在1450°C 以上的溫度時，整個工藝在真空、分壓下進行，液態的硅通過碳/碳毛細管滲透其中。當樣品處于硅溶液飽和狀態后，表面與硅接觸的地方反應形成了碳化硅。這類材料常用于碳基復合材料。

2.R-SiC(Recrystallization-SiC)再結晶碳化硅，通過研磨得到不同粒徑的粉末，大顆粒為180μm，細顆粒為1.3μm（d50）。兩種粉末僅需用水混合，注漿成型法得到生坯件。在50°C時干燥去除水分后，即可在2460°C下進行燒結工藝。

3.N-SiC (Nitride bonded SiC)氮化硅結合碳化硅。微米級的SiC粉末和硅Si，并與水和0.03％的粘結劑混合在一起。將混合材料放入模具中并在50°C下干燥后脫模。在氮氣氣氛下，爐溫升至700-750°C時，粘結劑從樣品中氣化析出。為避免廢氣污染設備和實驗室環境，需要把揮發出的粘結劑催化處理。在氮氣氣氛下繼續升溫至1450°C以上燒結工藝階段。此工藝也可摻雜燒結，如摻雜Al2O3。