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PECVD系統

PECVD系統

產品詳情PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組...

發送詢盤

PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;

1、整機采用SUS304不銹鋼材質,流線型外觀,真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。

2、爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩,可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料。

3、采用高純石英管,高溫下化學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數極小。

4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空,一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。

5、加熱元件采用康奈爾發熱絲,表面負荷高、經久耐用。最高溫度1200℃,升溫速率10℃/min。

6、可選配多路質量流量計,數字顯示、氣體流量自動控制;內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量。

等離子射頻電源:最大射頻功率達500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

 技術參數

HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE

HTF1200-5/20-4M-LV-PE

HTF1200-6/40-2M-HV-PE

HTF1200-8/40-4M-HV-PE

最高溫度(℃)

1200

1200

1200

1200

控溫精度(℃)

±1

±1

±1

±1

加熱區直徑(mm)

25

50

60

80

加熱區長度(mm)

200

200

400

400

加熱管長度(mm)

450

450

1000

1000

恒溫區長度(mm)

80

80

150

150

額定電壓(V)

220

220

220

220

額定功率(KVA)

1.2

1.2

3

3

射頻電源功率(W)

5~300

5~300

5~500

5~500

真空機組

HTF-101

HTF-101

HTF-104

HTF-104

供氣系統

HTF-2F

HTF-4F

HTF-2M

HTF-4M